IKW75N65EH5 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 75A, ±20В, 28нс/174нс, 198Вт, PG-TO247-3, K75EEH5) - оригинал Infineon
IKW75N65EH5 — силовой биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) Infineon Technologies, технология TRENCHSTOP 5. Максимальное напряжение коллектор–эмиттер VCES=650 В, непрерывный ток коллектора до 90 А при температуре корпуса Tc=25 °C и 75 А при Tc=100 °C. В составе есть антипараллельный быстрый диод. Корпус PG-TO247-3, три вывода (Gate, Collector, Emitter), THT. Применяется для PFC, высокочастотных преобразователей, инверторов, сварочного и приводного оборудования.
Эта карточка уже существовала в 1С и на сайте до получения новой заявки; сохранились цена 290 ₽, складской остаток 134 шт., учётный артикул 10103266 и год выпуска прежней партии 2021. Новая заявка не содержит цены, года и количества поставки, поэтому никаких поступлений и новых цен не оформлено.
Официальная документация: https://www.infineon.com/part/IKW75N65EH5
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IKW75N65EH5 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2021 |
Тип транзистора | IGBT TRENCHSTOP 5, с антипараллельным диодом |
Функциональная категория | IGBT транзистор |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Функциональная характеристика | VCES 650 В, IC 90/75 А при Tc25/100, TO-247-3 |
Функциональный тип | TRENCHSTOP 5 |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж транзисторы, полка IGBT, ячейка "Д 6" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 650 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 75 А |
Условия характеристики тока | Ic 90 А при Tc25°C / 75 А при Tc100°C; режимы по datasheet |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 90 А |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.65 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.1 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tvj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 75 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 300 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена допустимой температурой перехода; подробности — в паспорте. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -40 °C |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
ESAD92-02 - ультрабыстрая диодная сборка с общим катодом (200В, 2*10А, TO-3P, D92-02) - оригинал Fuji
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
JCS12N65FT - N-канальный полевой транзистор (650В, 12А, TO-220C/MF) -производство TOOHONG
