IRF3808PBF - N-канальный полевой транзистор (75В, ток корпуса до 75А, TO-220AB) - оригинал Infineon
Бренд:
Infineon Technologies AGХарактеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IRF3808PBF |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2020 гв |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 2 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Соты транзисторов в первом помещении склада, Полевые 2-14 |
Условия характеристики тока | При VGS = 10 В расчётные пределы кристалла: 140 А при Tc = 25 °C и 97 А при Tc = 100 °C. Паспорт ограничивает ток корпусом до 75 А; фактический рабочий ток зависит от охлаждения. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 75 В |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 550 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 7 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 82 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 150 |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 60 В; ID = 82 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.45 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Предел тока стока по корпусу или соединениям (макс.) | 75 А |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 330 Вт |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (макс.), нКл | 220 |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 5310 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tj = 25 °C; VGS = 0 В; VDS = 25 В; f = 1 МГц. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели IRF3808PBF - N-канальный полевой транзистор (75В, ток корпуса до 75А, TO-220AB) - оригинал Infineon, также купили
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.