IRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, ток соединений до 120А, TO-220) - оригинал IR/Infineon
Бренд:
International RectifierОписание
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | International Rectifier |
Part Number | IRFB3306 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2019 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | по 50 штук в рейке, по 20 реек в коробке (1000 штук) |
Тип транзистора | Полевой |
Маркировка на корпусе | IRFB3306 IR |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 3 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Ячейка "ПОЛЕВ-6-4" стеллажа "Транзисторы" |
Условия характеристики тока | VGS = 10 В: при Tc = 25 °C 160 А для кристалла, 120 А ограничение выводов; при Tc = 100 °C 110 А для кристалла. Учитывайте монтаж и ограничения выводов. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 60 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 120 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 110 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 620 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 4.2 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 75 А; импульс ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 150 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 85 |
Условия измерения Qg | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; VDS = 30 В; ID = 75 А. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.65 |
Материал полупроводника | Кремний |
Тип монтажа | Выводной (THT) |
Предел тока стока по корпусу или соединениям (макс.) | 120 А |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 230 Вт |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели IRFB3306 - N-канальный полевой транзистор (60В, ток соединений до 120А, TO-220) - оригинал IR/Infineon, также купили
IRFB4310PBF - N-канальный полевой транзистор (100В, ток корпуса до 75А, 300Вт, TO-220)| Оригинал IR238 ₽
IRF3205PBF - N-канальный MOSFET транзистор (55В, ток корпуса до 75А, ТО-220) - оригинал Infineon52 ₽
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip260 ₽
350 ₽
- 25%
90 ₽
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай55 ₽
75 ₽
- 26%
20 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.