MBQ40T120FESTH - мощный IGBT транзистор со встроенным диодом (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip
Оригинальные IGBT транзисторы MBQ40T120FES производства компании MagnaChip выдерживают напряжение до 1200В и ток не более 40А. Корпус - TO-247.
IGBT транзисторы характеризуются свойствами и полевых, и биполярных транзисторов, так как образованы при совмещении их структур. Имеют широкое применение: в инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах, выпрямителях, мощных блоках питания и зарядных устройствах.
Краткие характеристики
- Полное наименование: MBQ40T120FES IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 80 Ампер при Тс=25°C (40 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 357 Ватт при Тс=25°C (142 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-247
Изучить более подробные характеристики можно в официальном datasheet данного IGBT транзистора MBQ40T120FES.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Фотографии текущей партии транзисторов MBQ40T120FES
Рис.№2 Фотографии прошлых партий транзисторов MBQ40T120FES
Рис.№3 Назначение выводов IGBT транзистора MBQ40T120FES
Рис. №4 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов MBQ40T120FES
Гарантии
IGBT транзисторы MBQ40T120FES поставляются напрямую от производителя. Коробки приходят в запечатанном виде, вскрытие которых фиксируется на видео и размещается на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
Для оптовых покупателей IGBT транзисторов MBQ40T120FES предоставляются автоматические скидки. Мы формируем самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Такие условия обусловлены прямыми поставками от производителя. Они стали возможны благодаря большим закупкам на протяжении более 10 лет.
В состав каждого ежемесячного контейнера включена оптовая поставка. Окончательные цены с нашими клиентами обсуждаются индивидуально.
Доставка
Доставка оригинальных IGBT транзисторов MBQ40T120FES производится от 2 до 7 рабочих дней в случае срочного заказа и от 5 до 10 дней при выборе обычного.
Отправка осуществляется во все города России любой транспортной компанией, включая Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | MagnaChip |
Part Number | MBQ40T120FES |
Страна производитель | Корея |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | пластиковая антистатичная рейка |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 450 штук в заводской коробке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Маркировка на корпусе | 40T120FES |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж "Транзисторы" первого помещения склада магазина, полка "IGBT", ячейка "В-11-" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 40 А |
Условия характеристики тока | Постоянный ток коллектора: 80 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 80 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 357 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 142 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.4 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.35 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 160 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 341 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; VCE = 600 В; IC = 40 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 6030 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 1 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
KBPC5010W - диодный мост (1000В, 50А, KBPC-W) - производство Китай
