STW6N95K5 - N-канальный полевой MDmesh K5 транзистор (950В, 9А при Tc=25°C, 6А при Tc=100°C, TO-247) - оригинал ST
Бренд:
STMicroelectronicsОписание
Оригинальные транзисторы по прямой поставке с промышленной линии.
Реальное изображение текущей партии:
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | STMicroelectronics |
Part Number | STW6N95K5 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2019 |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Полевые 2-6, помещение 1, соты с транзисторами |
Условия характеристики тока | Предел постоянного тока стока: 9 А при Tc = 25 °C и 6 А при Tc = 100 °C. Длительность импульса ограничена областью безопасной работы. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 950 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 9 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 6 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 24 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -30 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 30 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 1250 |
Условия измерения RDS(on) | Tc = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 3 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 3 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 5 В |
Условия измерения VGS(th) | Tc = 25 °C; VDS = VGS; ID = 100 мкА. |
Заряд затвора Qg при VGS = 10 В (тип.), нКл | 9.6 |
Условия измерения Qg | Tc = 25 °C; VDD = 760 В; VGS = 10 В; ID = 6 А; типовое значение. |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 1.39 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 90 Вт |
Входная ёмкость Ciss (тип.), пФ | 430 |
Условия измерения входной ёмкости Ciss | Tc = 25 °C; VDS = 100 В; VGS = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели STW6N95K5 - N-канальный полевой MDmesh K5 транзистор (950В, 9А при Tc=25°C, 6А при Tc=100°C, TO-247) - оригинал ST, также купили
MBQ60T65PESTH - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - оригинал MagnaChip260 ₽
350 ₽
- 25%
90 ₽
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай55 ₽
75 ₽
- 26%
20 ₽
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.