Доставка под заказ по оптовым ценам напрямую от производителей
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Реле
Микрокомпьютеры
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Кабели, шлейфы, провода
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Ферриты
Расходные материалы
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Доставка под заказ по оптовым ценам напрямую от производителей

TGAN25N120ND - IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-3P, 25N120ND) - оригинал TRinno

5.00
Поделиться
Транзистор IGBT - силовой ключ для схемотехники
Информация от: 19 апреля 2024 г.
Артикул: 2454
Магазин (г. Краснодар): Нет в наличии
На складе в России: В наличии - 157 шт
Под заказ (2-3 недели): Нет в наличии
Продано: 84 шт.
225
Количество:
Быстрый заказ в 1 клик
Оптовые скидки:
От 10 шт 214 руб.
От 100 шт 202 руб.
От 1000 шт 180 руб.
Покупатели, которые приобрели TGAN25N120ND - IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-3P, 25N120ND) - оригинал TRinno, также купили
Описание

ОригинальныеБТИЗ (IGBT) транзисторы TGAN25N120ND – прямая поставка с производственных линий TRinno. Рассчитаны на напряжение до 1200В и ток не более 50А. Корпус: TO-3P.

IGBT транзисторы образовались при совмещении структур полевых и биполярных транзисторов, поэтому имеют свойства и тех, и других.

Мощные IGBT транзисторы TGAN25N120ND применяются в индукционных печах, инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах и другой высоковольтной технике.

Краткие характеристики

  • Полное наименование: TGAN25N120ND IGBT транзистор
  • Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
  • Максимальный ток коллектора IC: 50 Ампер при Тс=25°C (25 Ампер при Тс=100°C)
  • Максимальная мощность: 312 Ватт при Тс=25°C (125 Ватт при Тс=100°C)
  • Максимальная температура: 150°C
  • Тип корпуса: TO-3PN

В datasheet данного IGBT транзистора TGAN25N120ND имеются более подробные характеристики.

Аналоги

Транзистор TGAN25N120ND является аналогом IGBT транзистора FGA25N120ANDT производства фирмы ON Semiconductor.

Распиновка и внешний вид

Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора TGAN25N120ND

Рис. №2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов TGAN25N120ND

Гарантии

Оригинальность и качество IGBT транзисторов GAN25N120ND гарантируется прямыми поставками от производителя. Заводские упаковки приходят запечатанными. Их вскрытие фиксируется на видео и размещается на нашем youtube-канале.

Оптовые поставки

Благодаря прямым поставкам, оптовым покупателям IGBT транзисторов TGAN25N120ND мы можем предоставить автоматические скидки. А также самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.

Уже более 10 лет мы осуществляем большие закупки, которые позволили нам выйти на этот уровень.

С каждым клиентом окончательные цены обсуждаются индивидуально.

Оптовая поставка включена в состав каждого ежемесячного контейнера.

Доставка

Доставка оригинальных IGBT транзисторов TGAN25N120ND производства компании TRinno осуществляется во все города России.

Срок доставки: от 2 до 7 рабочих дней для срочного заказа и от 5 до 10 дней для обычного.

Отправка производится любой транспортной компанией, включая Почту России.

Характеристики
Общая информация
Полное наименование
Мощный IGBT транзистор TGAN25N120ND со встроенным обратным диодом
Производитель
TRinno Technology
Part Number
25N120ND
Product Specifications No
25N120
Оригинальное наименование
TGAN25N120ND NPT Trench IGBT
Оригинал
Да
Год выпуска
2019 г.
Состояние
Новый
Тип упаковки
Пластиковые антистатические рейки
Количество в упаковке
30 штук в пластиковой рейке
Тип транзистора
IGBT (БТИЗ)
Вес и габариты
В России
Магазин (на Коммунаров)
Стеллаж "IGBT", ячейка "-В-9-"
Город:
Краснодар
Помещение №
1
Отзывы

Loading...
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.