TGAN25N120ND - IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-3P, 25N120ND) - оригинал TRinno
ОригинальныеБТИЗ (IGBT) транзисторы TGAN25N120ND – прямая поставка с производственных линий TRinno. Рассчитаны на напряжение до 1200В и ток не более 50А. Корпус: TO-3P.
IGBT транзисторы образовались при совмещении структур полевых и биполярных транзисторов, поэтому имеют свойства и тех, и других.
Мощные IGBT транзисторы TGAN25N120ND применяются в индукционных печах, инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах и другой высоковольтной технике.
Краткие характеристики
- Полное наименование: TGAN25N120ND IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 50 Ампер при Тс=25°C (25 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 312 Ватт при Тс=25°C (125 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-3PN
В datasheet данного IGBT транзистора TGAN25N120ND имеются более подробные характеристики.
Аналоги
Транзистор TGAN25N120ND является аналогом IGBT транзистора FGA25N120ANDT производства фирмы ON Semiconductor.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора TGAN25N120ND
Рис. №2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов TGAN25N120ND
Гарантии
Оригинальность и качество IGBT транзисторов GAN25N120ND гарантируется прямыми поставками от производителя. Заводские упаковки приходят запечатанными. Их вскрытие фиксируется на видео и размещается на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
Благодаря прямым поставкам, оптовым покупателям IGBT транзисторов TGAN25N120ND мы можем предоставить автоматические скидки. А также самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Уже более 10 лет мы осуществляем большие закупки, которые позволили нам выйти на этот уровень.
С каждым клиентом окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Оптовая поставка включена в состав каждого ежемесячного контейнера.
Доставка
Доставка оригинальных IGBT транзисторов TGAN25N120ND производства компании TRinno осуществляется во все города России.
Срок доставки: от 2 до 7 рабочих дней для срочного заказа и от 5 до 10 дней для обычного.
Отправка производится любой транспортной компанией, включая Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Полное наименование | Мощный IGBT транзистор TGAN25N120ND со встроенным обратным диодом |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | TRinno Technology |
Part Number | TGAN25N120ND |
Product Specifications No | 25N120 |
Оригинальное наименование | TGAN25N120ND NPT Trench IGBT |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2019 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в пластиковой рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж "IGBT", ячейка "-В-9-" |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 1 |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 25 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 50 А при Tc = 25 °C и 25 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 50 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 312 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 125 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.9 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.5 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 25 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.4 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 75 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 230 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; VCC = 600 В; IC = 25 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 4000 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VGE = VCE; IC = 25 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
MBQ40T120FESTH - мощный IGBT транзистор со встроенным диодом (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
