TGAN30N120FD - мощный IGBT транзистор (1200В, 30А, TO-3PN) - оригинал TRinno
Популярные БТИЗ (IGBT) транзисторы TGAN30N120FD производства корейской фирмы TRinno Technology Co., Ltd популярны в схемотехнике мощных сварочных аппаратов. Рассчитаны на работу с допустимым напряжением до 1200 Вольт при максимальном токе до 30 Ампер.
IGBT транзисторы были созданы при совмещении структур биполярных и полевых транзисторов, являются гибридом и совмещают в себе их свойства.
Краткие характеристики
- Полное наименование: TGAN30N120FD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 60 Ампер при Тс=25°C (30 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 329 Ватт при Тс=25°C (132 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-3PN
В официальном datasheet данной модели IGBR транзисторов представлены более подробные характеристики.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора TGAN30N120FD
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов TGAN30N120FD
Гарантии
Поставка IGBT транзисторов TGAN30N120FD напрямую от производителя гарантирует их оригинальность. Транзисторы упакованы в запечатанные заводские коробки. Вскрытие упаковок снимается на видео и публикуется на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
При оптовой покупке оригинальных IGBT транзисторов TGAN30N120FD имеются автоматические скидки. Представителям промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования оптовые цены предоставляются самые выгодные. Прямые поставки от производителей позволяют нам устанавливать выгодные для наших покупателей расценки.
Мы производим большие закупки более 10 лет. Оптовая поставка входит в состав каждого ежемесячного контейнера. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Доставка
Вы можете заказать доставку оригинальных IGBT транзисторов TGAN30N120FD в любой город России. Отправка будет осуществлена любой транспортной компанией на ваш выбор, в том числе Почтой России.
Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3PN |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | TRinno Technology |
Part Number | TGAN30N120FD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 8 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж "Транзисторы", полка IGBT, ячейка В-12 |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 1 |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 30 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 60 А при Tc = 25 °C и 30 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 60 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 329 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 132 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.5 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 30 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.38 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 90 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 220 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; VCC = 600 В; IC = 30 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 4000 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VGE = VCE; IC = 30 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
