Доставка под заказ (из любой точки мира)
Личный кабинет
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 900 272-92-92
Режим работы:
г. Краснодар
Пн-Пт 9:00—18:00;
время по МСК
Сб-Вс выходные дни
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Конденсаторы
Реле
Кнопки и переключатели
Элементы защиты
Платы, сборки и модули
Микрокомпьютеры
Моторы и сервоприводы
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Кабели, шлейфы, провода
Разъёмы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Измерительные приборы
Источники питания
Ферриты
Запасные части
Расходные материалы
Прочие компоненты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Личный кабинет
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Доставка под заказ (из любой точки мира)
Каталог товаров

БТИЗ (IGBT)

ФИЛЬТР ТОВАРОВ
Максимальное напряжение
Максимальный ток
Очистить
Популярные товары
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba135 ₽170 ₽GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама") - производство CZPConGX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама") - производство CZPCon50 ₽DSN-DVM-568 - встраиваемый цифровой вольтметр (5-30В, 0.56")DSN-DVM-568 - встраиваемый цифровой вольтметр (5-30В, 0.56")138 ₽
Смотреть все
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
order@radiodar.ru
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Максимальное напряжение
0
Максимальный ток
0
12/24/36/48
В наличии
Страница 104 из 104
DGF15N60CTL0 - транзистор БТИЗ быстропереключаемый (600В, ±20В, 15А, 15нс/60нс, 31Вт, TO-220F) - производство YANGJIE
DGF15N60CTL0 - транзистор БТИЗ быстропереключаемый (600В, ±20В, 15А, 15нс/60нс, 31Вт, TO-220F) - производство YANGJIEОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 10131487
Цена по запросу
FGH15T120SMD_F155 - транзистор IGBT силовой (1200В, ±25В, 15А, 32нс/490нс, 167Вт, TO-247) - оригинал ON
FGH15T120SMD_F155 - транзистор IGBT силовой (1200В, ±25В, 15А, 32нс/490нс, 167Вт, TO-247) - оригинал ONГод выпуска:2024Оригинал:ДаВес изделия:7.5 г
Нет в наличии
Артикул: 11003163
Цена по запросу
FF1200R17KP4-B2 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT с диодами К-Э (1700В, 1200А, 6250Вт, 140х130х31.5мм) - оригинал INFINEON
FF1200R17KP4-B2 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT с диодами К-Э (1700В, 1200А, 6250Вт, 140х130х31.5мм) - оригинал INFINEONОригинал:ДаВес изделия:1050 г
Нет в наличии
Артикул: 11003344
Цена по запросу
FF600R12IP4 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT c общим К-Э, встроенными диодами и термистором (1200В, 600А, 3350Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал INFINEON
FF600R12IP4 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT c общим К-Э, встроенными диодами и термистором (1200В, 600А, 3350Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал INFINEONОригинал:ДаВес изделия:825 г
Нет в наличии
Артикул: 11003345
Цена по запросу
FF900R12IP4 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT c общим К-Э, встроенными диодами и термистором (1200В, 900А, 5100Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал INFINEON
FF900R12IP4 - модуль силовой из 2-транзисторов IGBT c общим К-Э, встроенными диодами и термистором (1200В, 900А, 5100Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал INFINEONОригинал:ДаВес изделия:825 г
Нет в наличии
Артикул: 11003346
Цена по запросу
TG600HF12M1-G3A00 - модуль: силовой полумост IGBT/2-транзистора c общим К-Э (2х{ 1200В, 600А}, NTC 5кОм, 151.8х62х20.8мм, M-1) - производство CRRC
TG600HF12M1-G3A00 - модуль: силовой полумост IGBT/2-транзистора c общим К-Э (2х{ 1200В, 600А}, NTC 5кОм, 151.8х62х20.8мм, M-1) - производство CRRCОригинал:ДаВес изделия:345 г
Нет в наличии
Артикул: 11003416
Цена по запросу
STGWA50M65DF2 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 50А, ±20В, до 375Вт, TO-247, G50M65DF2) - оригинал ST
STGWA50M65DF2 - транзистор IGBT с обратным диодом (650В, 50А, ±20В, до 375Вт, TO-247, G50M65DF2) - оригинал STОригинал:ДаВес изделия:7 г
Нет в наличии
Артикул: 11003445
Цена по запросу
2MBI1200XXE120P-50 - модуль силовой IGBT-полумост (2х{1200В/1200А, ±20В}, 7100Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал Fuji
2MBI1200XXE120P-50 - модуль силовой IGBT-полумост (2х{1200В/1200А, ±20В}, 7100Вт, 172х89х38мм, PrimePACK-2) - оригинал FujiОригинал:ДаВес изделия:850 г
Нет в наличии
Артикул: 11004026
Цена по запросу
KWRFF100R12SWM - модуль силовой IGBT-полумост: 2-транзистора c общим коллектор-эмиттером (2х{1200В/100А}, до 357Вт, 94х34х29.6мм, CASE D-93) - производство JUNSHIN
KWRFF100R12SWM - модуль силовой IGBT-полумост: 2-транзистора c общим коллектор-эмиттером (2х{1200В/100А}, до 357Вт, 94х34х29.6мм, CASE D-93) - производство JUNSHINОригинал:ДаВес изделия:170 г
Нет в наличии
Артикул: 11004443
3 723 ₽
SKM300GB125D - модуль силовой IGBT-полумост (1200В, 500А, до 380Вт, 106х61х30.5мм, SEMITRANS 3) - оригинал SEMIKRON
SKM300GB125D - модуль силовой IGBT-полумост (1200В, 500А, до 380Вт, 106х61х30.5мм, SEMITRANS 3) - оригинал SEMIKRONГод выпуска:2024Оригинал:ДаВес изделия:325 г
Нет в наличии
Артикул: 11004458
81 631 ₽
SKM100GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор c 1-обратным + 1-CAL4F диодами (1200В, 100А, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRON
SKM100GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор c 1-обратным + 1-CAL4F диодами (1200В, 100А, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRONГод выпуска:2018Оригинал:ДаВес изделия:160 г
Нет в наличии
Артикул: 11004518
6 035 ₽
SKM150GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор c 1-обратным + 1-CAL4F диодами (1200В, 150А, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRON
SKM150GAL12T4 - модуль силовой IGBT: 1-транзистор c 1-обратным + 1-CAL4F диодами (1200В, 150А, 94х34х30.1мм, SEMITRANS 2) - оригинал SEMIKRONГод выпуска:2023Оригинал:ДаВес изделия:160 г
Нет в наличии
Артикул: 11004519
6 842 ₽
BSM75GB120DN2 - модуль силовой IGBT-полумост (2х{1200В, 75А}, 94х34х30.5мм, AG-34MM-1) - оригинал EUPEC
BSM75GB120DN2 - модуль силовой IGBT-полумост (2х{1200В, 75А}, 94х34х30.5мм, AG-34MM-1) - оригинал EUPECГод выпуска:2021Оригинал:ДаВес изделия:250 г
Нет в наличии
Артикул: 11004651
9 958 ₽
DHG60T65D - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 406Вт, TO-3PN) - производство WXDHDHG60T65D - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 406Вт, TO-3PN) - производство WXDH
DHG60T65D - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 406Вт, TO-3PN) - производство WXDHОригинал:ДаВес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):"Д-10" ячейка в сотах "IGBTтранзисторов"
Нет в наличии
Артикул: 11005270
256 ₽
CRG40T120BV3S - транзистор IGBT силовой с обратным диодом (1200В, 40А, до 278Вт, TO-264, G40T120BV3S) - производство CRMICRO
CRG40T120BV3S - транзистор IGBT силовой с обратным диодом (1200В, 40А, до 278Вт, TO-264, G40T120BV3S) - производство CRMICROГод выпуска:2022Оригинал:ДаВес изделия:10 г
Нет в наличии
Артикул: 11005321
294 ₽
FF200R12KE4 - модуль силовой из 2*IGBT- полумост c обратными диодами (2х{1200В, 200А}, до 1100Вт, 106.4х61.4х30.9мм, Module-7) - оригинал INFINEON
FF200R12KE4 - модуль силовой из 2*IGBT- полумост c обратными диодами (2х{1200В, 200А}, до 1100Вт, 106.4х61.4х30.9мм, Module-7) - оригинал INFINEONГод выпуска:2019Оригинал:ДаВес изделия:340 г
Нет в наличии
Артикул: 11006788
Цена по запросу
FF1000R17IE4 - силовой полумостовой модуль из 2-транзисторов IGBT (2х{1700В, 1000А}, 6.25кВт, 250х89х38мм, PrimePACK 3) - оригинал INFINEON
FF1000R17IE4 - силовой полумостовой модуль из 2-транзисторов IGBT (2х{1700В, 1000А}, 6.25кВт, 250х89х38мм, PrimePACK 3) - оригинал INFINEONГод выпуска:2023Оригинал:ДаВес изделия:1200 г
Нет в наличии
Артикул: 11006954
Цена по запросу
GT50J325(Q) - N-канальный силовой IGBT транзистор (600В, 50А, до 240Вт, TO-3PL) - оригинал TOSHIBA
GT50J325(Q) - N-канальный силовой IGBT транзистор (600В, 50А, до 240Вт, TO-3PL) - оригинал TOSHIBAГод выпуска:2011Оригинал:ДаВес изделия:10 г
Нет в наличии
Артикул: 11006961
1 169 ₽
CM600DX-24T - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT изолированный (1200В, 600А, 3125Вт, MODULE) - оригинал MITSUBISHI
CM600DX-24T - силовой полумостовой модуль из 2*IGBT изолированный (1200В, 600А, 3125Вт, MODULE) - оригинал MITSUBISHIГод выпуска:2022Тип упаковки:КоробкаКоличество в упаковке:4Оригинал:ДаСостояние:Новый
Нет в наличии
Артикул: 11007048
12 986 ₽
S4G40T120SC9 - модуль силовой H-мост из 4*IGBT (1200В, 40А, MODULE C9) - производство SIRECTIFIER
S4G40T120SC9 - модуль силовой H-мост из 4*IGBT (1200В, 40А, MODULE C9) - производство SIRECTIFIERГод выпуска:2025Оригинал:ДаСостояние:НовыйВес изделия:170 г
Нет в наличии
Артикул: 11007063
1 956 ₽
MMG75W120XB6TC - мощный IGBT модуль (1200В, 75А) - оригинал MACMICMMG75W120XB6TC - мощный IGBT модуль (1200В, 75А) - оригинал MACMICMMG75W120XB6TC - мощный IGBT модуль (1200В, 75А) - оригинал MACMICMMG75W120XB6TC - мощный IGBT модуль (1200В, 75А) - оригинал MACMIC
MMG75W120XB6TC - мощный IGBT модуль (1200В, 75А) - оригинал MACMICОригинал:ДаГод выпуска:август 2024Состояние:НовыйВес изделия:450 г
Нет в наличии
Артикул: 11007183
5 885 ₽
7MBR75VB120-50 - мощный IGBT-модуль (1200В, 75А) - оригинал Fuji
7MBR75VB120-50 - мощный IGBT-модуль (1200В, 75А) - оригинал Fuji
Нет в наличии
Артикул: 11007184
10 218 ₽
3R563-99620 - IGBT модуль для ЭУР - оригинал BYD
3R563-99620 - IGBT модуль для ЭУР - оригинал BYD
Нет в наличии
Артикул: 11007496
Цена по запросу
S4G50T120SC9 - модуль силовой H-мост из 4*IGBT (1200В, 50А, MODULE C9) - производство SIRECTIFIER
S4G50T120SC9 - модуль силовой H-мост из 4*IGBT (1200В, 50А, MODULE C9) - производство SIRECTIFIERГод выпуска:2024г.Оригинал:ДаВес изделия:200 г
Нет в наличии
Артикул: 11007987
3 214 ₽
7MBR50U4P120-50 - модуль IGBT серии V: силовые элементы инвертора управления 3-фазным двигателем (1200В, 50А, 107.5х45х20.5мм, 23-Pin_PCB_MODULE) - оригинал FUJI
7MBR50U4P120-50 - модуль IGBT серии V: силовые элементы инвертора управления 3-фазным двигателем (1200В, 50А, 107.5х45х20.5мм, 23-Pin_PCB_MODULE) - оригинал FUJIГод выпуска:2020г.Оригинал:ДаВес изделия:200 г
Нет в наличии
Артикул: 11007988
7 138 ₽
YDT-SM-G-M12/AD10 - фитинговый прямой кабельный ввод для гофротрубки 10мм (М12х1.5мм, PA66_нейлон, -20~+100°C, IP68) - производство Zhejiang
YDT-SM-G-M12/AD10 - фитинговый прямой кабельный ввод для гофротрубки 10мм (М12х1.5мм, PA66_нейлон, -20~+100°C, IP68) - производство Zhejiang
Нет в наличии
Артикул: 11008041
Цена по запросу
IGF40T120F - транзистор IGBT силовой (1200В, 40А, ±20В, 62нс/265нс, до 278Вт, TO-247) - оригинал IPS
IGF40T120F - транзистор IGBT силовой (1200В, 40А, ±20В, 62нс/265нс, до 278Вт, TO-247) - оригинал IPSГод выпуска:2018+Оригинал:ДаВес изделия:8 г
Нет в наличии
Артикул: 11008416
232 ₽
Комплект: GX16-3A + GX16-3E (на кабель + на панель с большим круглым фланцем) - производство CiXuКомплект: GX16-3A + GX16-3E (на кабель + на панель с большим круглым фланцем) - производство CiXuКомплект: GX16-3A + GX16-3E (на кабель + на панель с большим круглым фланцем) - производство CiXuКомплект: GX16-3A + GX16-3E (на кабель + на панель с большим круглым фланцем) - производство CiXu
Комплект: GX16-3A + GX16-3E (на кабель + на панель с большим круглым фланцем) - производство CiXuВес изделия:28 г
Нет в наличии
Артикул: 11008492
Цена по запросу
FZ1200R12KF5NOSA1 - силовой IGBT модуль (1200В, 1200А, A-IHM130-2) - оригинал INFINEON
FZ1200R12KF5NOSA1 - силовой IGBT модуль (1200В, 1200А, A-IHM130-2) - оригинал INFINEONВес изделия:1300 г
Нет в наличии
Артикул: 11008572
108 336 ₽
IXBH5N160G - транзистор IGBT высоковольтный с обратным диодом (1600В, 3.5А, 140нс/120нс, до 68Вт, TO-247) - оригинал IXYS/Littelfuse
IXBH5N160G - транзистор IGBT высоковольтный с обратным диодом (1600В, 3.5А, 140нс/120нс, до 68Вт, TO-247) - оригинал IXYS/LittelfuseГод выпуска:2018+Тип упаковки:TubeКоличество в упаковке:30шт.Оригинал:ДаВес изделия:6 г
Нет в наличии
Артикул: 11008612
590 ₽
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.