Доставка под заказ (с AliExpress, Taobao или с других сайтов)
Личный кабинет
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 900 272-92-92
Режим работы (МСК):
Пн-Пт 9:00—18:00;
Сб-Вс 10:00-18:00
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
Микросхемы
Транзисторы
Диоды
Резисторы
Конденсаторы
Реле
Кнопки и переключатели
Элементы защиты
Платы, сборки и модули
Микрокомпьютеры
Моторы и сервоприводы
Адаптеры и переходники
Корпусные элементы
Кабели, шлейфы, провода
Разъёмы
Вентиляторы
Промышленное оборудование
Инструменты
Измерительные приборы
Источники питания
Ферриты
Запасные части
Расходные материалы
Прочие компоненты
ДЕМОНТАЖ (Б/У)
EOL (не производятся)
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
КАТАЛОГ ТОВАРОВ
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Личный кабинет
Избранное0
Сравнение0
Просмотренные0
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
БТИЗ (IGBT)
  • Все категории
  • Микросхемы
  • Транзисторы
  • Диоды
  • Резисторы
  • Конденсаторы
  • Реле
  • Кнопки и переключатели
  • Элементы защиты
  • Платы, сборки и модули
  • Микрокомпьютеры
  • Моторы и сервоприводы
  • Адаптеры и переходники
  • Корпусные элементы
  • Кабели, шлейфы, провода
  • Разъёмы
  • Вентиляторы
  • Промышленное оборудование
  • Инструменты
  • Измерительные приборы
  • Источники питания
  • Ферриты
  • Запасные части
  • Расходные материалы
  • Прочие компоненты
  • ДЕМОНТАЖ (Б/У)
  • EOL (не производятся)
Найти
Вход
0КорзинаПусто0 руб.
Товары в корзине
корзина пуста
Доставка под заказ (с AliExpress, Taobao или с других сайтов)
Каталог товаров

БТИЗ (IGBT)

Уникальные по своей природе Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором (IGBT) сочетающие в себе свойства биполярных и полевых транзисторов. Благодаря такому симбиозу удалось обеспечить минимальные затраты при управлении большими напряжениями на выходе.

Надежная и гарантированная работа на максимальных для IGBT значениях параметров обеспечивается применением оригинальных транзисторов. Мы поставляем БТИЗ транзисторы напрямую с производственных линий фирм производителей. Благодаря крупным закупкам нам удается обеспечить оптовые цены и закупки в запечатанных заводских упаковках. Видео распаковки мы публикуем на нашем youtube канале.

ФИЛЬТР ТОВАРОВ
Максимальное напряжение
Максимальный ток
Очистить
Популярные товары
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba148 ₽GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")GX16-8A розеточный штекер на кабель (8-пин "мама")66 ₽Вихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство RexchipВихревой нагнетатель модели 720H57 (320м3/ч, 440мбар, 73дБ, 380В, 7.5кВт) - производство Rexchip88 980 ₽
Смотреть все
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
order@radiodar.ru
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.
Максимальное напряжение
0
Максимальный ток
0
12/24/36/48
В наличии
NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWERNCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWERNCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWER
NCE10TD60B - IGBT транзистор по технологии Trench FS II (600В, 10А, TO-220) - производство NCEPOWERПроизводитель:Wuxi NCE Power Co., Ltd.Оригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:НовыйТип транзистора:IGBT (БТИЗ)
В наличии
- 243 шт.
Артикул: 10103898
55 ₽
NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWERNCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWERNCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWER
NCE20TD60B - транзистор IGBT Trench FS II (600В, 20А, TO-220) - производство NCEPOWERПроизводитель:Wuxi NCE Power Co., Ltd.Оригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:НовыйТип транзистора:IGBT (БТИЗ)
В наличии
- 186 шт.
Артикул: 10103862
154 ₽
JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMIJNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMIJNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMI
JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMIПроизводитель:Qingdao Jiaen Semiconductor Co., Ltd.Оригинал:ДаГод выпуска:2023Состояние:НовыйТип транзистора:IGBT (БТИЗ)
В наличии
- 180 шт.
Артикул: 10131551
115 ₽
JNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMIJNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMIJNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMI
JNG20T60HS - транзистор IGBT быстродействующий (600В, затвор-эмиттер ±30В, 20А, 16нс/122нс, 60Вт, TO-247) - оригинал JIAENSEMIОригинал:ДаВес изделия:7 г
В наличии
- 129 шт.
Артикул: 10131264
155 ₽
STGD18N40LZT4 - IGBT транзистор (390В, 25А, D-PAK) - оригинал STSTGD18N40LZT4 - IGBT транзистор (390В, 25А, D-PAK) - оригинал STSTGD18N40LZT4 - IGBT транзистор (390В, 25А, D-PAK) - оригинал STSTGD18N40LZT4 - IGBT транзистор (390В, 25А, D-PAK) - оригинал ST
STGD18N40LZT4 - IGBT транзистор (390В, 25А, D-PAK) - оригинал STПроизводитель:STMicroelectronicsВес изделия:1 гМагазин (на Коммунаров):Помещение 1, отдельный короб на сотах IGBT "100824"
Нет в наличии
Артикул: 100824
224 ₽
SGT50T65FD1PN - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3P, 50T65FD1) - оригинал SilanSGT50T65FD1PN - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3P, 50T65FD1) - оригинал SilanSGT50T65FD1PN - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3P, 50T65FD1) - оригинал Silan
SGT50T65FD1PN - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3P, 50T65FD1) - оригинал SilanПроизводитель:Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.Оригинал:ДаВес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):ячейка "А 13", соты IGBT транзисторы
Нет в наличии
Артикул: 10131043
142 ₽
G50T65D - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3PN) - оригинал WXDHG50T65D - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3PN) - оригинал WXDHG50T65D - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3PN) - оригинал WXDH
G50T65D - мощный IGBT транзистор (650В, 50А, TO-3PN) - оригинал WXDHОригинал:ДаВес изделия:7 гМагазин (на Коммунаров):Ячейка "В 6", соты IGBT транзисторов первого помещения
В наличии
- 969 шт.
Артикул: 10104503
226 ₽
IHW20N135R5 реплика IGBT-транзистора (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20R1353) производство LYD (Китай)
 1IHW20N135R5 реплика IGBT-транзистора (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20R1353) производство LYD (Китай)Маркировка на корпусе:H20R1353Год выпуска:2019Оригинал:НетСостояние:НовыйМагазин (на Коммунаров):ячейка "IGBT-4-3" стеллажа транзисторы
В наличии
- 74 шт.
Артикул: 22506
155 ₽
FGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIFGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIFGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMI
FGH40N60SFDTU - мощный БТИЗ/IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - производство VBSEMIПроизводитель:VBSEMIОригинал:НетГод выпуска:2024Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 288 шт.
Артикул: 11003240
296 ₽
MBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipMBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChip
 4MBQ60T65PES - мощный IGBT транзистор (650В, 60А, TO-247, 60T65PES) - Оригинал MagnaChipПолное наименование:БТИЗ транзистор MBQ60T65PESПроизводитель:MagnaChipPart Number:60T65PESОригинальное наименование:MBQ60T65PES 650V Field Stop IGBTОригинал:Да
В наличии
- 210 шт.
Артикул: 10002450
215 ₽
KGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECKGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KEC
KGF40N65KDC - мощный IGBT транзистор (650В, 40А, 104Вт, ТО-247) - оригинал KECСтрана производитель:КореяГод выпуска:2022Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:30 штук в рейкеОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 100927
185 ₽
MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipMBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip
MBQ40T120FES - IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChipПроизводитель:MagnaChipPart Number:MBQ40T120FESОригинальное наименование:MBQ40T120FES High speed FieldStop Trench IGBTСтрана производитель:КореяОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 10002438
355 ₽
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaGT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал Toshiba
 50 1GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3) - оригинал ToshibaПолное наименование:GT50JR22 - биполярный транзистор с изолированным затворомПроизводитель:ToshibaPart Number:GT50JR22Product Specifications No:50JR22Оригинальное наименование:Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22
В наличии
- 1813 шт.
Артикул: 10002191
148 ₽
MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipMBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал Magnachip
MBQ40T120QESTH - мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, 214Вт, TO-247, 40T120QES) - оригинал MagnachipПроизводитель:MagnaChipОригинал:ДаГод выпуска:2022Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 314 шт.
Артикул: 104347
325 ₽
SGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanSGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал Silan
 1SGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал SilanПолное наименование:SGT40N60FD1Производитель:Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.Оригинальное наименование:SGT40N60FD1P7Оригинал:ДаГод выпуска:2023 г.
В наличии
- 891 шт.
Артикул: 22465
175 ₽
FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiFGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiFGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON Semi
 18FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON SemiОсобенности:встроенный диодМаркировка на корпусе:FGH60N60SFDФункциональная категория:Силовые ключиСтрана производитель:Made in China Производственные линии ON Semiconductor в КитаеПолное наименование:IGBT транзистор FGH60N60SFDTU
Нет в наличии
Артикул: 1092-20
355 ₽
TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838
 9 2TGAN60N60F2DS - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-3PN) - оригинал TRinno | 30838Оригинальное наименование:TGAN60N60F2DS Field Stop Trench IGBTПолное наименование:Биполярный транзистор с изолированным затвором TGAN60N60F2DS производства TRinnoГод выпуска:январь 2021Тип упаковки:пластиковая антистатичная рейкаКоличество в упаковке:450 штук в заводском коробе, по 30 шутк в одной пластиковой рейке
Нет в наличии
Артикул: 30838
295 ₽
FGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - КитайFGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - Китай
FGA25N120ANTD - реплика IGBT-транзистора (1200В, 25А, TO-3P) - Китай
В наличии
- 158 шт.
Артикул: 100846
147 ₽
IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonIHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал Infineon
 3IHW20N135R5 мощный IGBT-транзистор (1350В, 20А, PG-TO247-3, H20PR5) -оригинал InfineonПолное наименование:IHW20N135R5 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diodeПроизводитель:Infineon Technologies AGPart Number:IHW20N135R5Оригинал:ДаГод выпуска:2020 г.в.
В наличии
- 191 шт.
Артикул: 10022505
248 ₽
STGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST MicroelectronicsSTGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST Microelectronics
 3STGW60V60DF - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247) - Оригинал ST MicroelectronicsПроизводитель:STMicroelectronicsОригинал:ДаГод выпуска:2019Состояние:НовыйТип упаковки:пластиковая антистатичная рейка
В наличии
- 800 шт.
Артикул: 10002519
495 ₽
RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasRJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasRJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал Renesas
 20RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал RenesasПроизводитель:RenesasPart Number:RJH60F5Product Specifications No:RJH60F5DPQОригинальное наименование:Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching RJH60F5DPQ-A0Страна производитель:Made in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае и Малайзии
Нет в наличии
Артикул: 10001112
297 ₽
STGW60V60F - IGBT транзистор силовой (600В, 60А, TO-247) - оригинал STMSTGW60V60F - IGBT транзистор силовой (600В, 60А, TO-247) - оригинал STMSTGW60V60F - IGBT транзистор силовой (600В, 60А, TO-247) - оригинал STMSTGW60V60F - IGBT транзистор силовой (600В, 60А, TO-247) - оригинал STM
STGW60V60F - IGBT транзистор силовой (600В, 60А, TO-247) - оригинал STMОригинал:ДаВес изделия:4.6 г
В наличии
- 519 шт.
Артикул: 11003109
485 ₽
Хит!
FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ONFGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ONFGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ONFGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ON
 40FGH40N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247) - оригинал ONПолное наименование:IGBT транзистор FGH40N60SFDTUПроизводитель:ON SemiconductorPart Number:FGH40N60SFDProduct Specifications No:FGH40N60SFDTUСтрана производитель:Made in China Производственные линии ON Semiconductor в Китае, Сингапуре и Малайзии
В наличии
Артикул: 1109
462 ₽
FGH60N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 60A, ТО-247) - оригинал ON
 6FGH60N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 60A, ТО-247) - оригинал ONГод выпуска:Текущая партия 2020 г.в.Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:30 штук в пластиковой рейке, 450 штук в коробкеОригинал:ДаПроизводитель:ON Semiconductor
В наличии
- 96 шт.
Артикул: 2480
496 ₽
FGH40N60SFD - копия IGBT транзистора (600В, 40А) - производство Китай - НЕ ОРИГИНАЛ!FGH40N60SFD - копия IGBT транзистора (600В, 40А) - производство Китай - НЕ ОРИГИНАЛ!FGH40N60SFD - копия IGBT транзистора (600В, 40А) - производство Китай - НЕ ОРИГИНАЛ!FGH40N60SFD - копия IGBT транзистора (600В, 40А) - производство Китай - НЕ ОРИГИНАЛ!
FGH40N60SFD - копия IGBT транзистора (600В, 40А) - производство Китай - НЕ ОРИГИНАЛ!Производитель:КитайОригинал:НетГод выпуска:МАЙ 2024Состояние:НовыйТип упаковки:Фирменный короб
В наличии
- 312 шт.
Артикул: 11002805
186 ₽
RJH60F7 - IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247A) - оригинал RenesasRJH60F7 - IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247A) - оригинал RenesasRJH60F7 - IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247A) - оригинал Renesas
 10RJH60F7 - IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247A) - оригинал RenesasПроизводитель:RenesasPart Number:RJH60F7BDPQProduct Specifications No:RJH60F7Оригинальное наименование:High Speed Power Switching 600V - 50A - IGBT RJH60F7BDPQОригинал:Да
В наличии
- 184 шт.
Артикул: 10131040
351 ₽
SGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал SilanSGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал SilanSGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал SilanSGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал SilanSGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал Silan
 8 1SGT40N60NPFDPN мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-3P) - оригинал SilanПолное наименование:Мощный БТИЗ транзистор SGT40N60NPFD Field stop IGBTПроизводитель:Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.Part Number:SGT40N60NPFDPNProduct Specifications No:40N60NОригинальное наименование:40A, 600V FIELD STOP IGBT SGT40N60NPFD
В наличии
- 152 шт.
Артикул: 2137
175 ₽
FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiFGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiFGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiFGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiFGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON Semi
 14FGH40N60SMD мощный IGBT транзистор (600В, 40A, ТО-247) - оригинал Fairchild/ON SemiМаркировка на корпусе:FGH40N60SMDГод выпуска:2020Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:30 штук в рейке, 450 штук в заводской коробкеОригинал:Да
В наличии
- 208 шт.
Артикул: 2119
462 ₽
IKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал InfineonIKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал InfineonIKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал InfineonIKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал InfineonIKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал Infineon
 3IKW50N60T - TrenchStop IGBT транзистор (600В, 50А, TO-247, K50T60) - оригинал InfineonМаркировка на корпусе:K50T60Оригинальное наименование:: IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diodeГод выпуска:2018Тип упаковки:пластиковая антистатичная рейкаКоличество в упаковке:30 шт. в пластиковой рейке, 240 штук в оригинальной коробке
В наличии
- 54 шт.
Артикул: 2440
389 ₽
IHW20N120R5 мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, H20MR5) - оригинал InfineonIHW20N120R5 мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, H20MR5) - оригинал InfineonIHW20N120R5 мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, H20MR5) - оригинал Infineon
IHW20N120R5 мощный IGBT транзистор (1200В, 40А, TO-247, H20MR5) - оригинал InfineonМаркировка на корпусе:H20MR5Год выпуска:2019Тип упаковки:Пластиковые антистатические рейкиКоличество в упаковке:по 30 штук в рейкеОригинал:Да
Нет в наличии
Артикул: 22476
255 ₽
0.5 %1/4W8 ммAcerAspireDC-DCDellGX16IGBTIntelLGA775NPNSMDTO-220TO-92VA1926wViewSonicYC8micro USB 2.0±5%Б/УБТИЗБиполярныйВыводныеДиодный мостДиодыКнопкиКоннекторыКонтроллерМикроконтроллерыМикропереключателиМикросхемыМодулиМониторыПолевойПреобразовательПромышленныеПроцессорРазборкаРазъемРазъемыРегуляторРезисторыТерморелеТермостатыТранзисторТранзисторыУНЧУглеродистыеЦилиндрические
Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был лучше для вас.