FGA25N120ANTD - IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-3P) - оригинал ON Semi/Fairchild
Оригинальные мощные IGBT транзисторы FGA25N120ANTD по официальной поставке компании ON Semiconductor (бывшая Fairchild). Предназначены для работы в диапазоне напряжения до 1200В и тока до 25А. Корпус: TO-3P.
IGBT (БТИЗ) транзисторы образовались при совмещении структуры биполярных и полевых транзисторов и обладают свойствами и тех, и других.
Наиболее часто встречаются в цепях индукционных панелей и электрических печах.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGA25N120ANTD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 50 Ампер при Тс=25°C (25 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 312 Ватт при Тс=25°C (125 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-3P
С более подробными характеристиками данного IGBT транзистора FGA25N120ANTD можно познакомиться в последней ревизии datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора FGA25N120ANTD
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGA25N120ANTD
Фасовка
Текущая партия состоит из двух коробок. На фотоизображение реальных транзисторов.
Гарантии
Поставка IGBT транзисторов FGA25N120ANTD производится напрямую со сборочных линий производителя. Транзисторы приходят в запечатанных заводских коробках, вскрытие которых фиксируется на видео и размещается на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
На оптовые покупки IGBT транзисторов FGA25N120ANTD установлены автоматические скидки. Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования - самые выгодные оптовые цены.
Поставки напрямую от производителей позволяют нам формировать выгодные условия для наших клиентов.
Более 10 лет мы осуществляем большие закупки. В состав ежемесячного контейнера всегда включена оптовая поставка. Окончательные цены обсуждаются с каждым клиентом индивидуально.
Доставка
Доставка оригинальных IGBT транзисторов FGA25N120ANTD производится во все города России транспортной компанией на ваш выбор, в том числе и Почтой России.
Срок доставки варьируется в зависимости от формы заказа:
- 2-7 рабочих дня при срочном заказе,
- 5-10 дней при обычном заказе.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-3P |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGA25N120ANTD |
Product Specifications No | FGA25N120 |
Оригинальное наименование | FGA25N120ANTD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2016 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Линейки, короб |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 15 реек в коробке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Картонный короб "25N120 - арт. 2447" на стеллаже биполярные |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 25 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 50 А при Tc = 25 °C и 25 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 50 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 312 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 125 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 25 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.4 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 200 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 600 В; VGE = 15 В; IC = 25 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 3700 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 30 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 25 мА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
