FGH40N60SMD - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 40 А, TO-247AC-3) - оригинал onsemi
FGH40N60SMD — силовой транзистор БТИЗ (IGBT) производства onsemi, класс напряжения 600 В, токовый класс 40 А. Исполнение: Одиночный ключ IGBT, корпус TO-247AC-3. Инверторы, приводы электродвигателей, ибп, схемы pfc и мощные импульсные преобразователи. При подборе аналога сравнивайте VCE(sat), Eon/Eoff, заряд затвора, параметры обратного диода и тепловое сопротивление. Токовый класс не означает, что предельный длительный ток одинаков при Tc=25 °C и Tc=100 °C: при проектировании следует сверить паспортные режимы именно указанного исполнения.
Техническая документация или страница семейства: https://www.onsemi.com/part/FGH40N60SMD
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247AC-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | onsemi |
Part Number | FGH40N60SMD |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2020 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 450 штук в заводской коробке |
Тип транзистора | IGBT Trench/Field Stop |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Тип корпуса диода | TO-247 |
Маркировка на корпусе | FGH40N60SMD |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Функциональная характеристика | 600 В, класс 40 А, TO-247AC-3 |
Функциональный тип | Одиночный ключ IGBT |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 3 |
Примечание | Цена и параметры поставки согласуются с менеджером. Фактическая масса определяется при поступлении. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
