FGH60N60SFD - мощный IGBT транзистор (600В, 60А, TO-247A)| Оригинал Fairchild/ON Semi
IGBT транзисторы FGH60N60SFD производства фирмы Fairchild. Так как в 2017 году компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, с 2018 года на всех транзисторах присутствует логотип "ON" на месте старого "F".
У нас старые запасы уже распроданы и теперь в продаже только новые транзисторы с лейблом ON.
IGBT транзисторы FGH60N60SFD рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких ампер. Необходимо учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Одно из основных требований: стойкость к короткому замыканию.
IGBT транзисторы расшифровываются как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Являются гибридом, созданным при совмещении структуры биполярного и полевого транзисторов. Имеют встроенный быстродействующий диод.
Применяются в инверторных сварочных аппаратах, стабилизаторах, мощных системах управления и коммутации.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGH60N60SFD IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 120 Ампер при Тс=25°C (60 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 378 Ватт Тс=25°C (151 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-247
В последней ревизии datasheet на транзисторы FGH60N60SFD (предоставлен компанией ON Semi) изложены более подробные характеристики.
Распиновка и внешний вид
На рисунке №1 приведено настоящее изображение оригинальных транзисторов текущей партии.
Рис. №1 Настоящее изображение оригинальных транзисторов FGH60N60SFD текущей партии
Рис. 2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGH60N60SFD
Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGH60N60SFD
Гарантии
IGBT транзисторы FGH60N60SFD поставляются напрямую от производителя в запечатанных заводских упаковках в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий. Процесс вскрытия заводских упаковок снимается на видео и выкладывается на наш youtube-канал.
Оптовые поставки
Покупать оптом IGBT транзисторы FGH60N60SFD в Радиодаре выгодно. Для оптовых покупателей у нас имеются автоматические скидки. А для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования у нас самые выгодные потовые цены.
Такие оптовые цены и скидки мы предоставляем, благодаря прямым поставкам от производителей. На этот уровень мы вышли за работы 10 лет, в течении которых мы делали большие покупки.
Окончательные цены с клиентами обсуждаются индивидуально.
Доставка
Доставка транзисторов FGH60N60SFD производится в любой город России. Время ожидания от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных.
Для отправки можно выбрать любую транспортную компанию, включая Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247 |
Общая информация | |
Полное наименование | IGBT транзистор FGH60N60SFDTU |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGH60N60SFD |
Product Specifications No | FGH60N60SFDTU |
Страна производитель |  Производственные линии ON Semiconductor в Китае |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2020-2021 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Линейки, короб |
Количество в упаковке | по 30 шт. в линейке, 15 линеек в коробе (всего 450 шт.) |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Функциональная категория | Силовые ключи |
Особенности | встроенный диод |
Маркировка на корпусе | FGH60N60SFD |
Технические параметры | |
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 Вольт |
Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | ±20 Вольт |
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C | 180 Ампер |
Ток коллектора (Ic) при T=25°C | 120 Ампер |
Ток коллектора (Ic) при T=100°C | 60 Ампер |
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C | 378 Ватт |
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=100°C | 151 Ватт |
Условия эксплуатации | |
Рекомендации для пайки | 300°С не более 5 сек. |
Температура эксплуатации | -55°С...+150°С |
Температура хранения | -55°С...+150°С |
Максимальная влажность | 85% |
Вес и габариты | |
Длина | 16.6 мм |
Ширина | 4.7 мм |
Высота | 36 мм |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 2 |
Стеллаж № | 1 |
Полка № | 3 |
Примечание | Родной короб "FGH60N60SFD" |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 60 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора при температуре корпуса Tc = 100 °C: 60 А. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 120 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 378 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 151 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2.3 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.9 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 60 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.33 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 180 А |
Условия импульсного тока коллектора | Tc = 25 °C; длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 198 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; VCE = 400 В; IC = 60 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 2820 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VGE = VCE; IC = 250 мкА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
STTH60P03SW - сверхбыстрый мощный диод (300В, 60А, TO-247) - оригинал STM
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай
