IKW30N60T - силовой транзистор БТИЗ (IGBT) (600 В, 30 А, TO-247AC-3) - Infineon
IKW30N60T — IGBT с обратным диодом Infineon Technologies AG, 600 В, номинальный класс 30 А, корпус TO-247AC-3. Используется в трёхфазных инверторах двигателей, источниках бесперебойного питания, телекоммуникационном оборудовании. По данным Infineon непрерывный IC 45 А при Tc=25°C и 39 А при Tc=100°C; VCE(sat) тип. 1,5 В при номинальном токе. Быстрый антипараллельный диод помогает переключению индуктивной нагрузки.
Техническая документация производителя: https://www.infineon.com/part/IKW30N60T
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247AC-3 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IKW30N60T |
Product Specifications No | K30T60 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2021 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке, 240 штук в коробке |
Тип транзистора | IGBT с обратным диодом |
Функциональная категория | БТИЗ (IGBT) |
Тип корпуса диода | TO-247 |
Маркировка на корпусе | K30T60 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 6 г |
Функциональная характеристика | 600 В, 30 А, TO-247AC-3 |
Функциональный тип | IGBT с обратным диодом |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Ячейка-сота "IGBT-1-11" стеллажа "ТРАНЗИСТОРЫ" в первом помещении склада магазина |
Примечание | Точные электрические параметры и условия переключения указаны в datasheet производителя. |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 39 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 45 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 187 Вт |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.5 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.05 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 30 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.8 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
