IKW75N60T мощный IGBT транзистор (600В, 75А, TO-247, K75T60) - оригинал Infineon
Мощные IGBT(БТИЗ) транзисторы IKW75N60T рассчитаны на напряжение до 600 Вольт и на максимальный ток до 75 Ампер.
Корпус типа TO-247 позволяет размещать транзисторы на радиатор для отвода тепла. Запрещается, даже кратковременно, включать транзисторы без радиатора!
IGBT (или БТИЗ) транзисторы образованны из биполярных и полевых транзисторов. Представляют собой гибрид и совмещают в себе их свойства.
Краткие характеристики
- Полное наименование: IKW75N60T IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 80 Ампер при Тс=25°C (75 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 428 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: PG-TO247-3
Более подробные характеристики IGBT транзисторов IKW75N60T имеются в последней ревизии datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора KW75N60T
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса IGBT транзисторов IKW75N60T
Гарантии
Оригинальные IGBT транзисторы IKW75N60T напрямую поставляются с производственных линий. При закупке находятся в запечатанных заводских коробках, видеозаписи распаковки которых публикуются на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
Поставляя транзисторы напрямую от производителя, мы предоставляем нашим оптовым клиентам на покупку оригинальных IGBT транзисторов IKW75N60T автоматические скидки. Также мы предлагаем самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Большие закупки мы осуществляем уже более 10 лет мы делаем. В состав каждого ежемесячного контейнера входит оптовая поставка. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Доставка
Доставка – во все города России оригинальных IGBT транзисторов IKW75N60T. Отправка – любой транспортной компанией, включая Почту России.
Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Общая информация | |
Полное наименование | Мощный IGBT транзистор IKW75N60T |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IKW75N60T |
Product Specifications No | 75N60 |
Оригинальное наименование | IGBT in TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Линейки, короб |
Количество в упаковке | 30 штук в рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Маркировка на корпусе | K75T60 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 1 |
Стеллаж № | 1 |
Примечание | IGBT ячейка 2-6 |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 75 А |
Условия характеристики тока | Предельные значения при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. Допустимый ток зависит от режима и охлаждения. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 80 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 428 Вт |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.5 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 75 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.35 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
IHW30N160R2 - мощный IGBT транзистор (1600В, 60А, 312Вт, TO-247, H30R1602) - оригинал Infineon
