IRF9Z24N - P-канальный полевой транзистор (−55В, 12А при Tc=25°C, TO-220AB) - оригинал Infineon
Популярные полевые транзисторы IRF9Z24N в корпусе TO-220AB.
Рассчитаны на напряжение до 55В и ток не более 12А.
Краткие характеристики
- Полное наименование: IRF9Z24N полевой транзистор
- Максимальное напряжение VDSS: 55 Вольт
- Максимальный ток коллектора ID: 12 Ампер при Тс=25°C (8.5 Ампер при Тс =100°C)
- Максимальная мощность PD: 45 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 175°C
- Тип корпуса: TO-220AB
Полная информация для полевого транзистора IRF9Z24N представлена в его datasheet.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов полевого транзистора IRF9Z24N
Рис. №2 Типовые размеры и форма корпуса полевых транзисторов IRF9Z24N
Гарантии
Полевые транзисторы IRF9Z24N приобретаются в запечатанных заводских коробках напрямую с производственных линий. При распаковке происходит фото и видео съемка: их можно увидеть на нашем YouTube-канале.
Оптовые поставки
Оптовые покупки полевых транзисторов IRF9Z24N практичны в нашем магазине. У нас автоматические скидки и самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования.
Мы устанавливаем индивидуально стоимость каждому покупателю.
Оптовая поставка значится в ежемесячном контейнере.
Доставка
В каком бы регионе страны вы ни жили бы, вам будут доставлены оригинальные полевые транзисторы IRF9Z24N.
От 2 до 7 рабочих дней идет быстрый заказ, от 5 до 10 дней – обычный.
Мы отправим ваш заказ транспортной компанией, какой хотите вы. Есть возможность выбрать Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-220 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Infineon Technologies AG |
Part Number | IRF9Z24N |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | пластиковая антистатичная рейка |
Количество в упаковке | 50 штук в пластиковой рейке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 2 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Первое помещение склада магазина, стеллаж "Транзисторы", полка "ПОЛЕВЫЕ", ячейка "ПОЛЕВ-5-9" |
Главный склад | Второе помещение склада, стеллаж "ПОЛЕВЫЕ", полка №3, оригинальные заводские коробки со стеллажным ярлыком "IRF9Z24N -100039" |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток по модулю при Tc = 25 °C и Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса, VGS = -10 В. Ограничения — в паспорте. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | -55 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 12 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 8.5 А |
Импульсный ток стока |IDM| (макс.) | 48 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | P-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = -10 В; ID = -7.2 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | -4 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | -2 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = -250 мкА. |
Условия измерения Qg | Макс. Qg: Tj = 25 °C; VGS = −10 В; VDS = −44 В; ID = −7,2 А. Условия типового значения уточняйте. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 3.3 |
Тип монтажа | Выводной (THT) |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
RDS(on) при VGS = −10 В (макс.), мОм | 175 |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 45 Вт |
Заряд затвора Qg при VGS = −10 В (макс.), нКл | 19 |
Заряд затвора Qg при VGS = −10 В (тип.), нКл | 12.7 |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
