IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, расчётный ток 80А при Tc=100°C, TO-247AC) - оригинал IR
Бренд:
International RectifierОписание
Характеристики
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247AC |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | International Rectifier |
Part Number | IRFP064NPBF |
Страна производитель | Китай |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 25 штук в пластиковой рейке, 400 штук в заводской коробке |
Тип транзистора | Полевой |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Ячейка "Полевые-2-3" стеллажа "Транзисторы" первого помещения склада магазина |
Условия характеристики тока | При VGS = 10 В расчётный предел: 110 А при Tc = 25 °C и 80 А при Tc = 100 °C. Допустимый ток корпуса следует уточнять по Design Tip 93-4. |
Напряжение сток–исток VDSS (макс.) | 55 В |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 110 А |
Постоянный ток стока |ID| при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 80 А |
Напряжение затвор–исток VGS (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–исток VGS (макс.) | 20 В |
Структура транзистора / тип канала | N-канал |
Конфигурация транзистора | Одиночный транзистор |
RDS(on) при VGS = 10 В (макс.), мОм | 8 |
Условия измерения RDS(on) | Tj = 25 °C; VGS = 10 В; ID = 59 А; значение максимальное. |
Пороговое напряжение VGS(th) (мин.) | 2 В |
Пороговое напряжение VGS(th) (макс.) | 4 В |
Условия измерения VGS(th) | Tj = 25 °C; VDS = VGS; ID = 250 мкА. |
Максимальная температура перехода Tj | 175 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.75 |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Рассеиваемая мощность при Tc = 25 °C (макс.) | 200 Вт |
Отзывы
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели IRFP064NPBF - N-канальный полевой транзистор (55В, расчётный ток 80А при Tc=100°C, TO-247AC) - оригинал IR, также купили
Хит!
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba145 ₽
170 ₽
- 14%
25 ₽
IHW30N160R2 - мощный IGBT транзистор (1600В, 60А, 312Вт, TO-247, H30R1602) - оригинал Infineon2 187 ₽
IRF3205PBF - N-канальный MOSFET транзистор (55В, ток корпуса до 75А, ТО-220) - оригинал Infineon52 ₽
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай55 ₽
75 ₽
- 26%
20 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.