YGW60N65F1A1 - силовой транзистор IGBT (650В, 60А, до 312Вт, TO-247) - производство LUXIN
Описание
Характеристики
Общая информация | |
Оригинал 
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Технические параметры | |
Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 650В |
Напряжение затвор-эмиттер (Vges) | 20В |
Импульсный коллекторный ток (Icm) при T=25°C | 180А |
Ток коллектора (Ic) при T=25°C | 120А |
Ток коллектора (Ic) при T=100°C | 60А |
Максимальная рассеиваемая мощность (PD) при T=25°C | 312Вт |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Стеллаж IGBT ячейка "Д -16-" |
Отзывы
Обсуждение
Ссылки
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
Покупатели, которые приобрели YGW60N65F1A1 - силовой транзистор IGBT (650В, 60А, до 312Вт, TO-247) - производство LUXIN, также купили
CRG60T60AK3HD - транзистор IGBT силовой (650В, 60А, до 403Вт, TO-247, G60T60AK3HD) - производство CRMICROНет в наличии
IRFS3607TRLPBF - N-канальный полевой транзистор (75В, 80А, D2-PAK/TO-263) - оригинал Infineon105 ₽
135 ₽
- 22%
30 ₽
Помощь
+7 900 272-92-92
Отдел продаж
+7 918 042-73-74
Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.