FGL40N120AND - мощный IGBT транзистор (1200В, 64А при Tc=25°C, 40А при Tc=100°C, TO-264) - оригинал ON
Серия оригинальных сверхмощных БТИЗ (IGBT) транзисторов FGL40N120AND в корпусе увеличенного типа - ТО-264. Рассчитаны на работу в диапазоне напряжения до 1200В и тока до 64А.
IGBT транзисторы характеризуются свойствами и биполярных, и полевых транзисторов, так как образовались при совмещении их структур.
Предназначены для инверторов, сварочных аппаратов и другой силовой схемотехники.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGL40N120AND IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 1200 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 64 Ампер при Тс=25°C (40 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 500 Ватт при Тс=25°C (200 Ватт при Тс=100°C)
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: ТО-264
Более подробные характеристики можно изучить в datasheet данной модели IGBT транзисторов FGL40N120AND.
Распиновка и внешний вид
Рис.№1 Назначение выводов IGBT транзистора FGL40N120AND
Рис.№2 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGL40N120AND
Гарантии
Оригинальные IGBT транзисторы FGL40N120AND напрямую поставляются со сборочных линий в запечатанных заводских коробках. Как вскрываются упаковки можно посмотреть на нашем youtube-канале.
Оптовые поставки
При оптовой покупке IGBT транзисторов FGL40N120AND имеются автоматические скидки. Представители промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования у нас обнаружат самые выгодные оптовые цены. Осуществляя прямые поставки от производителей, мы предлагаем нашим оптовым покупателям выгодные условия.
Большие закупки мы осуществляем более 10 лет. В состав каждого ежемесячного контейнера входит оптовая поставка. Окончательные цены с нашими с клиентами обсуждаем индивидуально.
Доставка
Доставляем оригинальные IGBT транзисторы FGL40N120AND во все города России. Для отправки - выбранная вами транспортная компания, включая Почту России.
Время ожидания срочного заказа – от 2 до 7 рабочих дней, обычного – от 5 до 10 дней.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-264 |
Общая информация | |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | ON Semiconductor |
Part Number | FGL40N120AND |
Оригинальное наименование | FGL40N120AND 1200V NPT IGBT |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2024 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип упаковки | Пластиковые антистатические рейки |
Количество в упаковке | 25 штук в пластиковой рейке |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 10 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Соты IGBT 2-9 |
Город: | Краснодар |
Помещение № | 1 |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 1200 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 40 А |
Условия характеристики тока | Предельный постоянный ток коллектора: 64 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C. Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 64 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 500 Вт |
Мощность коллектора при температуре корпуса 100 °C (макс.) | 200 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -25 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 25 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 2.6 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 3.2 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tc = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.25 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 160 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 220 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 600 В; VGE = 15 В; IC = 40 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 3200 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tc = 25 °C; VCE = 30 В; VGE = 0 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 3.5 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 7.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tc = 25 °C; VCE = VGE; IC = 250 мкА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
KBPC5010 - диодный мост (1000В, 50А, KBPC) - производство Китай
MBQ40T120FESTH - мощный IGBT транзистор со встроенным диодом (1200В, 40А, TO-247, 40T120FES) - оригинал MagnaChip
GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba
