SGT40N60FD1P7 - мощный IGBT транзистор (600В, 40А, ТО-247, 40N60FD1) - оригинал Silan
Оригинальные мощные IGBT транзисторы SGT40N60FD1P7 одной из крупнейших фабрик Китая - Silan Microelectronics Co. Рассчитаны на напряжение до 600В и ток до 40А. Характеризуются свойствами как полярных, так и биполярных транзисторов.
Китайский бренд - завод Silan уже давно завоевал популярность среди производителей сварочной и силовой техники и аппаратуры. Мощные ключи применяются в различных схемотехнических решениях на равных с именитыми брендами. Уровень технологии достиг реальных высот и позволяют производить качественную силовую продукцию в соответствии с мировыми стандартами!
Краткие характеристики
- Полное наименование: SGT40N60FD1P7 IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCE: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 80 Ампер при Тс=25°C (40 Ампер при Тс=100°C)
- Максимальная мощность: 290 Ватт при Тс=25°C
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-247-3L
С остальными характеристиками можно ознакомиться в datasheet на транзисторы SGT40N60FD1P7 компанией Silan последней ревизии.
Распиновка и внешний вид
Рис. №1 Реальная светокопия транзисторов SGT40N60FD1P7
Рис. №2 Назначение выводов IGBT транзистора SGT40N60FD1P7
Гарантии
100% гарантию оригинальности IGBT транзисторов SGT40N60FD1P7 дает прямая поставка со сборочных линий. Процесс вскрытия запечатанных заводских коробок фиксируется на видео и публикуется на youtube.
Оптовые поставки
Оптовым покупателям IGBT транзисторов SGT40N60FD1P7 предоставляются автоматические скидки!
У нас самые выгодные оптовые цены для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования!
Такие условия обусловлены прямыми поставками от производителя. Большие закупки более 10 лет позволили выйти нам на этот уровень.
Оптовая поставка включена в состав каждого ежемесячного контейнера. Окончательные цены с каждым клиентом обсуждаются индивидуально.
Доставка
Доставка оригинальных IGBT транзисторов SGT40N60FD1P7 доступна для всех городов России. Можно сделать срочный или обычный заказ.
Время доставки срочного заказа: 2-7 рабочих дня, обычного: 5-10 дней.
Для отправки можно выбрать любую транспортную компанию, включая Почту России.
Нормаупаковка | |
Тип корпуса | TO-247-3L |
Общая информация | |
Полное наименование | SGT40N60FD1 |
Производитель 
Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру | Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd. |
Part Number | SGT40N60FD1P7 |
Оригинальное наименование | SGT40N60FD1P7 |
Оригинал
Оригинальность товара характеризует источник поставки:
В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки | Да |
Год выпуска
Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить" | 2023 |
Состояние
Состояние товара исходя из:
| Новый |
Тип транзистора | IGBT (БТИЗ) |
Маркировка на корпусе | 40N60FD1 |
Вес и габариты | |
Вес изделия | 7 г |
Расположение на складе | |
Магазин (на Коммунаров) | Отдельная ячейка Г-16 в сотах IGBT |
Напряжение коллектор–эмиттер VCE (макс.) | 600 В |
Постоянный ток коллектора IC при 100 °C (макс.) | 40 А |
Условия характеристики тока | Постоянный ток коллектора: 80 А при Tc = 25 °C и 40 А при Tc = 100 °C; Tc — температура корпуса. |
Постоянный ток коллектора IC при 25 °C (макс.) | 80 А |
Мощность коллектора при температуре корпуса 25 °C (макс.) | 290 Вт |
Конфигурация транзистора | Одиночный IGBT со встроенным обратным диодом |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (мин.) | -20 В |
Напряжение затвор–эмиттер VGE (макс.) | 20 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (тип.) | 1.8 В |
Напряжение насыщения IGBT VCE(sat) (макс.) | 2.7 В |
Условия измерения VCE(sat) IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; IC = 40 А. |
Встроенный обратный диод | Есть |
Максимальная температура перехода Tj | 150 °C |
Тепловое сопротивление переход–корпус RthJC (макс.), °C/Вт | 0.52 |
Импульсный ток коллектора ICpuls (макс.) | 120 А |
Условия импульсного тока коллектора | Длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода; см. паспорт. |
Минимальная рабочая температура перехода Tj | -55 °C |
Заряд затвора IGBT Qg при VGE = 15 В (тип.), нКл | 100 |
Условия измерения заряда затвора IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 15 В; VCE = 300 В; IC = 40 А; типовое значение. |
Входная ёмкость IGBT Cies (тип.), пФ | 1850 |
Условия измерения входной ёмкости IGBT | Tj = 25 °C; VGE = 0 В; VCE = 30 В; f = 1 МГц; типовое значение. |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (мин.) | 4 В |
Пороговое напряжение затвор-эмиттер IGBT VGE(th) (макс.) | 6.5 В |
Условия измерения порогового напряжения IGBT | Tj = 25 °C; VCE = VGE; IC = 250 мкА. |
Наши группы в социальных сетях
Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:
