КАТАЛОГ ТОВАРОВ

Все категории

Найти

Личный кабинет

Избранное0

Сравнение0

Просмотренные0

0КорзинаПусто0 руб.

Товары в корзине

корзина пуста

Все категории

Найти

Русский Английский

0Смотрели

0Сравнение

0Корзина

0Избранное

Все категории

Найти

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

Оставить отзыв

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO

Бренд:

TRinno Technology

TGAN80N60F2DS - транзистор N-канальный IGBT (600В, напряжение затвора ±20В, ток стока 160А, импульсный 240А, заряд затвора 220нС, 480Вт, -55°C÷150°С, TO-3PN) - оригинал TRINNO TECHNOLOGY

Характеристики

Производитель:

TRinno Technology

Part Number:

TGAN80N60F2DS

Оригинал:

Да

Смотреть все

Почта

Самовывоз

Курьер

Бандероль + трек (НЕ СРОЧНО)

Рассчитываем стоимость доставки...

Почта России

Рассчитываем стоимость доставки...

Магазин "Радиодар" (г. Краснодар)

Рассчитываем стоимость доставки...

Рассчитываем стоимость доставки...

КИТ до терминала

Рассчитываем стоимость доставки...

КСЭ - медленно

Рассчитываем стоимость доставки...

СДЭК Курьер

Рассчитываем стоимость доставки...

Деловые Линии

Рассчитываем стоимость доставки...

Информация от: 16 апреля 2026 г.

Артикул: 10131149

В наличии (г.Краснодар): 341 шт

Под заказ ( 2 - 3 недели): Нет в наличии

Продано: 104 шт.

376 ₽

включая НДС 5%

Количество:

Быстрый заказ в 1 клик

Оптовые скидки:

От 10 шт	357 руб.
От 100 шт	338 руб.
От 1000 шт	301 руб.

Заказ по телефону:+7-900-272-92-92

Характеристики

Общая информация
Производитель Производитель (бренд) товара. Если в пункте "Оригинал" указано "Да" - данный товар закуплен напрямую у производителя по промышленному ордеру	TRinno Technology
Part Number	TGAN80N60F2DS
Оригинал Оригинальность товара характеризует источник поставки: "Оригинал" - поставка произведена по ордерной промышленной закупке напрямую у производителя "Не оригинал" - закупка у неофициальных агентов производителя, у посредников, либо копии других брендов В пункте "Происхождение" указывается конкретный ордер поставки и более подробные условия закупки	Да
Год выпуска Год выпуска текущей партии, если указано через дробь - имеются несколько партий разных годов выпуска - выбор конкретного года выпуска доступен над кнопкой "Купить"	2024
Состояние Состояние товара исходя из: Новый Б/У Демонтированный Разборка (какая именно: нового, рабочего с эксплуатации, с неисправного устройства/оборудования)	Новый
Вес и габариты
Вес изделия	7 г
Расположение на складе
Магазин (на Коммунаров)	Ячейка "А 9" IGBT транзисторов в сотах первого помещения

Отзывы

Обсуждение

Ссылки

Наши группы в социальных сетях

Подпишитесь на наши новости, видеообзоры, инструкции и другую полезную информацию:

Группа Радиодар в инстаграмме

Группа Китайдар в социальной сети Вконтакте

Группа радиодар в сети Одноклассники

Покупатели, которые приобрели TGAN80N60F2DS - N-канальный IGBT транзистор (600В, 80А, 192Вт, TO-3PN) - оригинал TRINNO, также купили

IKW75N60T мощный IGBT транзистор (600В, 75А, TO-247, K75T60) - оригинал Infineon

IKW75N60T мощный IGBT транзистор (600В, 75А, TO-247, K75T60) - оригинал Infineon

669,90 ₽

RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал Renesas

RJH60F5 мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247A) оригинал Renesas

344 ₽

Хит!

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba

GT50JR22 - N-канальный IGBT транзистор (600В, 50А, 230Вт, TO-3P) - оригинал Toshiba

145 ₽

170 ₽

- 14%

25 ₽

MM80FU040PC - сборка из 2-ультрабыстрых диодов с общим катодом (400В, 2х40А, 36нс, TO-3P) - производство MACMIC

MM80FU040PC - сборка из 2-ультрабыстрых диодов с общим катодом (400В, 2х40А, 36нс, TO-3P) - производство MACMIC

125 ₽

DF9225S12UH - вентилятор 92*92*25 (12В, 0.42А, 4000об/мин) - оригинал XBM

DF9225S12UH - вентилятор 92*92*25 (12В, 0.42А, 4000об/мин) - оригинал XBM

342 ₽

IRFP4568PBF - N-канальный полевой транзистор (150В, 121А, ±30В, TO-247AC) - оригинал Infineon

IRFP4568PBF - N-канальный полевой транзистор (150В, 121А, ±30В, TO-247AC) - оригинал Infineon

330,75 ₽

IKW30N60T - мощный IGBT транзистор (600В, 30А, 187Вт, TO-247, K30T60) - оригинал Infineon

IKW30N60T - мощный IGBT транзистор (600В, 30А, 187Вт, TO-247, K30T60) - оригинал Infineon

321,30 ₽

DF9225S24H вентилятор 7-лопастной 92*92*25 (24В, 0.18А, 3700) - оригинал XBM

DF9225S24H вентилятор 7-лопастной 92*92*25 (24В, 0.18А, 3700) - оригинал XBM

331 ₽

2SK3878 N-канальный полевой транзистор (900В, 9А, TO-3P, K3878) оригинал Toshiba

2SK3878 N-канальный полевой транзистор (900В, 9А, TO-3P, K3878) оригинал Toshiba

215 ₽

FL-2-200A - резистивный токоизмерительный шунт (75мВ, 200А, 0.5%) - аналог 75ШСМ-200А

FL-2-200A - резистивный токоизмерительный шунт (75мВ, 200А, 0.5%) - аналог 75ШСМ-200А

565,95 ₽

FJ9225S12M -вентилятор 92*92*25 (12В, 0.2А, 2800об/мин)

FJ9225S12M -вентилятор 92*92*25 (12В, 0.2А, 2800об/мин)

202,65 ₽

Диодные мосты

Помощь

+7 900 272-92-92

Отдел продаж

+7 918 042-73-74

order@radiodar.ru

Если у вас возникли вопросы при оформлении заказа, обратитесь по указанным контактам.

Мы используем файлы cookie, чтобы сайт был удобнее для вас.
Продолжая пользоваться сайтом Вы соглашаетесь с использованием cookies файлов.
Дополнительные сведения об этих файлах можно узнать в нашей политике конфиденциальности.